成均馆大学团队通过单步等离子体硫化工艺工程化范德华晶体，制备出可在器件尺度模拟神经元与突触功能的光电子突触器件，为类脑计算与AI硬件提供新材料平台。

洛桑联邦理工学院研究团队在《Science Advances》报告一种将双量子点与超导微波腔结合的半导体器件，可将入射微波光子转化为可测直流电流，探测效率最高接近70%。

研究团队基于拉普拉斯方程给出精确场解，并结合有限元与实验数据验证，可在无需拟合参数的情况下描述二硫化钼等各向异性二维材料的扩散电阻，为优化接触设计提供方法。

研究人员在六方氮化硼中识别出难以察觉的堆垛层错缺陷，称其可捕获电荷并削弱局部绝缘性能，使材料更易在较低电压下发生失效。成果发表于《Nano Letters》。

DGIST研究团队开发出全球首个在两端子垂直结构中，通过电信号精确操控氢离子，实现自学习与记忆功能的人工智能半导体。