莱斯大学研究揭示二维绝缘体隐藏缺陷 或影响超薄器件可靠性
研究人员在六方氮化硼中识别出难以察觉的堆垛层错缺陷，称其可捕获电荷并削弱局部绝缘性能，使材料更易在较低电压下发生失效。成果发表于《Nano Letters》。
利用氢离子实现学习与记忆的两端子AI半导体问世
DGIST研究团队开发出全球首个在两端子垂直结构中，通过电信号精确操控氢离子，实现自学习与记忆功能的人工智能半导体。
研究人员在六方氮化硼中识别出难以察觉的堆垛层错缺陷，称其可捕获电荷并削弱局部绝缘性能，使材料更易在较低电压下发生失效。成果发表于《Nano Letters》。
DGIST研究团队开发出全球首个在两端子垂直结构中，通过电信号精确操控氢离子，实现自学习与记忆功能的人工智能半导体。
