MoS₂

科学 2026-04-16

曼彻斯特大学团队报告称，在原子级薄的二硫化钼（MoS₂）上生长磁性合金Permalloy，可同时影响薄膜表面与体内的能量损失来源与分布，为二维材料自旋电子器件的可扩展设计提供线索。

科学 2026-04-04

杜克大学团队在《ACS Nano》发表研究指出，二维晶体管常用的背门控测试架构会引发“接触门控”，从而降低接触电阻并放大器件指标；该效应在更小尺寸下更显著，可能导致实验室结果难以直接对应可商用器件表现。