局部液滴蚀刻制备更对称的量子点,面向集成光子学应用
国际合作研究提出在AlGaAs纳米空腔中填充超薄InGaAs层的新策略,实现低密度、快速发射且高对称性的量子点,发射波长可在低温下调至780—900纳米。
研究称以氘替代氕可显著提升硅T中心单光子发射效率
西蒙弗雷泽大学、Photonic Inc.与美国海军研究实验室的研究人员发现,采用较重的氢同位素氘构成的硅T中心,其激发态寿命较常见氕变体提高5.4倍,有望带来更明亮、更可靠的单光子源。
国际合作研究提出在AlGaAs纳米空腔中填充超薄InGaAs层的新策略,实现低密度、快速发射且高对称性的量子点,发射波长可在低温下调至780—900纳米。
西蒙弗雷泽大学、Photonic Inc.与美国海军研究实验室的研究人员发现,采用较重的氢同位素氘构成的硅T中心,其激发态寿命较常见氕变体提高5.4倍,有望带来更明亮、更可靠的单光子源。