可重构电子学

科学 2026-05-26

研究人员通过将两层极化方向相反的硒化铟薄层堆叠，在共享界面形成高导电铁电带电畴壁。相关成果发表于《Advanced Materials》，并被认为有望用于类脑器件与可重构电子学研究。