中科院金属所团队在超薄BiFeO₃薄膜中实现四倍压电增强，突破约30纳米性能瓶颈
研究人员通过多层异质结构稳定超薄BiFeO₃薄膜中的过渡“S相”，在16个单元格厚度下测得d33约30 pm/V，为标准菱方相的四倍。
研究团队通过可视化“8字形”费米面锁定潜在手性导体材料
研究人员称，通过对原本不具手性的材料进行定向结构扭曲，可望获得仅呈单一手性的电子手性材料，为低电阻率导体设计提供新的母体材料线索。
研究人员通过多层异质结构稳定超薄BiFeO₃薄膜中的过渡“S相”，在16个单元格厚度下测得d33约30 pm/V，为标准菱方相的四倍。
研究人员称，通过对原本不具手性的材料进行定向结构扭曲，可望获得仅呈单一手性的电子手性材料，为低电阻率导体设计提供新的母体材料线索。
