利用聚焦氦离子在氮化铝中“写入”铁电区域，助力低功耗芯片
橡树岭国家实验室团队首次证明，可用聚焦氦离子束在常规氮化铝中直接写入铁电区域，为低功耗、高可靠存储与射频器件提供新工艺路径。
橡树岭国家实验室团队首次证明，可用聚焦氦离子束在常规氮化铝中直接写入铁电区域，为低功耗、高可靠存储与射频器件提供新工艺路径。
