简单表面涂层助力下一代晶体管制造：更易去除顶层且不伤及超薄层
研究表明，在二硫化钼表面预先引入氧或氟等简单涂层，可显著降低等离子体去除顶层硫原子所需能量，从而在不损伤下方钼层的前提下，更精确地加工超薄TMD材料，为下一代高性能晶体管制造提供新思路。
研究表明，在二硫化钼表面预先引入氧或氟等简单涂层，可显著降低等离子体去除顶层硫原子所需能量，从而在不损伤下方钼层的前提下，更精确地加工超薄TMD材料，为下一代高性能晶体管制造提供新思路。
