九州大学研究：通过界面设计提升纳米级磁自旋结构性能
九州大学团队在《APL Materials》发表研究称，通过在多层薄膜结构中引入原子级中间层，可在保持磁性斯格明子稳定性的同时改善其运动驱动效率，为低功耗高速信息器件材料设计提供新思路。
九州大学团队在《APL Materials》发表研究称，通过在多层薄膜结构中引入原子级中间层，可在保持磁性斯格明子稳定性的同时改善其运动驱动效率，为低功耗高速信息器件材料设计提供新思路。
