研究首次阐明氢在硅缺陷中释放自由电子机制
研究团队通过第一性原理计算等方法揭示，氢与硅中I4缺陷复合体协同作用可促使电子释放并成为自由电子。相关成果有望为IGBT等功率器件的设计与制造提供理论依据，并提示该机制或可扩展至金刚石等超宽禁带材料。
研究团队通过第一性原理计算等方法揭示，氢与硅中I4缺陷复合体协同作用可促使电子释放并成为自由电子。相关成果有望为IGBT等功率器件的设计与制造提供理论依据，并提示该机制或可扩展至金刚石等超宽禁带材料。
