3D V-NAND

科学 2026-03-25

KAIST团队利用新型氧氮化硼（BON）材料构建“智能栅极”结构，在不增加芯片面积的前提下显著提升3D V‑NAND存储密度与可靠性，为下一代超大容量PLC存储器提供可量产的关键工艺方案。