ACS Nano

研究称背门控架构或高估二维晶体管实验性能

研究称背门控架构或高估二维晶体管实验性能

杜克大学团队在《ACS Nano》发表研究指出,二维晶体管常用的背门控测试架构会引发“接触门控”,从而降低接触电阻并放大器件指标;该效应在更小尺寸下更显著,可能导致实验室结果难以直接对应可商用器件表现。

光学方法帮助识别反铁磁体隐藏磁态

光学方法帮助识别反铁磁体隐藏磁态

特拉华大学研究团队提出一种基于光响应半导体缺陷发光的检测方案,可在纳米尺度上读取反铁磁体的局部磁态,为相关材料在下一代计算与量子应用中的研究提供新工具。