下一代三维堆叠半导体关键：新型双调制垂直晶体管实现零电流泄漏
DGIST团队提出“双调制垂直堆叠晶体管”结构，在二维纳米级通道中实现稳定、无电流泄漏运行，为三维高度集成、低功耗半导体提供关键器件方案。
DGIST团队提出“双调制垂直堆叠晶体管”结构，在二维纳米级通道中实现稳定、无电流泄漏运行，为三维高度集成、低功耗半导体提供关键器件方案。
