研究称背门控架构或高估二维晶体管实验性能
杜克大学团队在《ACS Nano》发表研究指出,二维晶体管常用的背门控测试架构会引发“接触门控”,从而降低接触电阻并放大器件指标;该效应在更小尺寸下更显著,可能导致实验室结果难以直接对应可商用器件表现。
下一代三维堆叠半导体关键:新型双调制垂直晶体管实现零电流泄漏
DGIST团队提出“双调制垂直堆叠晶体管”结构,在二维纳米级通道中实现稳定、无电流泄漏运行,为三维高度集成、低功耗半导体提供关键器件方案。
杜克大学团队在《ACS Nano》发表研究指出,二维晶体管常用的背门控测试架构会引发“接触门控”,从而降低接触电阻并放大器件指标;该效应在更小尺寸下更显著,可能导致实验室结果难以直接对应可商用器件表现。
DGIST团队提出“双调制垂直堆叠晶体管”结构,在二维纳米级通道中实现稳定、无电流泄漏运行,为三维高度集成、低功耗半导体提供关键器件方案。